Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 10.4 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
- RS品番:
- 165-7182
- メーカー型番:
- SIA449DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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￥28.487
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥28.487 | ￥85,461.00 |
| 15000 - 27000 | ￥27.636 | ￥82,908.00 |
| 30000 - 72000 | ￥26.163 | ￥78,489.00 |
| 75000 - 147000 | ￥25.426 | ￥76,278.00 |
| 150000 + | ￥24.689 | ￥74,067.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-7182
- メーカー型番:
- SIA449DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 10.4 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | SOT-363 |
| シリーズ | TrenchFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 6 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 38 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.6V |
| 最大パワー消費 | 19 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| 長さ | 2.15mm |
| 幅 | 2.15mm |
| 高さ | 0.8mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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