Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
180-7273
メーカー型番:
SI2347DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

42mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.5nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

幅

2.64 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 30 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 42 mhm です。最大定格電力は 1.7 W で、連続ドレイン電流は 5 A です。このトランジスタの最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


• DC/DC コンバータ

•負荷スイッチ

•ノートブック・アダプター・スイッチ

• パワー管理

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

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