2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 19.8 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

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RS品番:
180-7285
メーカー型番:
SI4204DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.006Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

最大許容損失Pd

3.25W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

1.65 mm

高さ

1mm

長さ

3.05mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装デュアルNチャンネルMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。また、ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は4.6mΩである。連続ドレイン電流は19.8A。MOSFETの最大定格電力は3.25W。スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～150°C

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• DC/DCコンバータ

• 固定通信

• ノートPC

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

• UISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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