- RS品番:
- 180-7285
- メーカー型番:
- SI4204DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価: 購入単位は2500 個
¥176.051
(税抜)
¥193.656
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2500 - 2500 | ¥176.051 | ¥440,127.50 |
5000 - 22500 | ¥170.796 | ¥426,990.00 |
25000 - 35000 | ¥161.687 | ¥404,217.50 |
37500 - 47500 | ¥157.132 | ¥392,830.00 |
50000 + | ¥152.577 | ¥381,442.50 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 180-7285
- メーカー型番:
- SI4204DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
データシート
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. It also has drain-source resistance of 4.6mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 19.8A. The MOSFET has a maximum power rating of 3.25W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• DC/DC Converter
• Fixed Telecommunication
• Notebook PC
• Fixed Telecommunication
• Notebook PC
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 19.8 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
パッケージタイプ | SO-8 |
シリーズ | TrenchFET |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 8 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.006 O |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2.4V |
1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
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