4 Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル, 8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8

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RS品番:
268-8282
メーカー型番:
SI9634DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

デュアルN

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SI9634DY

取付タイプ

表面

ピン数

8

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

60 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
VishayデュアルNチャンネルTrenchFET4世代パワーMOSFETは、完全に鉛及びハロゲンフリーのデバイスです。最適化された比率で、スイッチングに関連する電力損失を低減し、同期整流、モータドライブコントロールなどの用途で使用されています。

ROHS準拠

UISテスト: 100 %

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