Vishay MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, 20.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥263,172.00

(税抜)

￥289,488.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 6,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥87.724￥263,172
6000 - 27000￥86.462￥259,386
30000 - 42000￥84.301￥252,903
45000 - 57000￥82.149￥246,447
60000 +￥79.996￥239,988

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
252-0243
メーカー型番:
SI4151DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

20.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.01mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

最大許容損失Pd

5.6W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。PチャンネルMOSFET基板には、電子と正孔が含まれています。PチャンネルMOSFETは正電圧に接続されます。これらのMOSFETは、ゲート端子に供給される電圧がソース電圧よりも低いときにオンになります。

TrenchFETパワーMOSFET、

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ