Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPack
- RS品番:
- 180-7312
- メーカー型番:
- SI7216DN-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
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￥348,846.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥116.282 | ￥348,846 |
| 6000 - 27000 | ￥115.217 | ￥345,651 |
| 30000 - 42000 | ￥114.153 | ￥342,459 |
| 45000 - 57000 | ￥113.089 | ￥339,267 |
| 60000 + | ￥112.024 | ￥336,072 |
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- RS品番:
- 180-7312
- メーカー型番:
- SI7216DN-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | PowerPack | |
| シリーズ | SI7216DN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 25mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 20.8W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| 動作温度 Min | -50°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 PowerPack | ||
シリーズ SI7216DN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 20.8W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.5nC | ||
動作温度 Min -50°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 1.12mm | ||
幅 3.4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SI7216DN は、 40 V のドレイン - ソース（ Vds ）電圧を備えたデュアル N チャンネル MOSFET です。ゲート - ソース電圧（ VGS ）は 20 V です。この製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.032 Ω @ 10VGS 、 0.039 Ω @ 4.5 VGS最大ドレイン電流： 6 A
Vishay SI7216DN は、 40 V のドレイン - ソース（ Vds ）電圧を備えたデュアル N チャンネル MOSFET です。ゲート - ソース電圧（ VGS ）は 20 V です。この製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.032 Ω @ 10VGS 、 0.039 Ω @ 4.5 VGS最大ドレイン電流： 6 A
トレンチ FET パワー MOSFET
低熱抵抗パワー PAK パッケージは、小型で 1.07 mm の低プロファイルです
100 % Rg及びUISテスト済み
RoHS 指令 2002/95/EC に準拠
トレンチ FET パワー MOSFET
低熱抵抗パワー PAK パッケージは、小型で 1.07 mm の低プロファイルです
100 % Rg及びUISテスト済み
RoHS 指令 2002/95/EC に準拠
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