Vishay MOSFET, Nチャンネル, デュアル, 150 V, 4.1 A, 0.1 Ω, 17 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPack
- RS品番:
- 180-7886
- メーカー型番:
- SI7956DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥3,696
(税抜)
￥4,066
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,920 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥739.20 | ￥3,696 |
| 150 - 1420 | ￥650.20 | ￥3,251 |
| 1425 - 1895 | ￥560.80 | ￥2,804 |
| 1900 - 2395 | ￥470.20 | ￥2,351 |
| 2400 + | ￥381.00 | ￥1,905 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 180-7886
- メーカー型番:
- SI7956DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | SI7956DP | |
| パッケージ型式 | PowerPack | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -50°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 3.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 幅 | 5.26mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ SI7956DP | ||
パッケージ型式 PowerPack | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -50°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 3.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.12mm | ||
長さ 6.25mm | ||
幅 5.26mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SI7956DPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧150V、最大連続ドレイン電流4.1A - SI7956DP-T1-GE3
このMOSFETは、高電圧スイッチングおよび制御作業向けに設計された表面実装PowerPackパッケージのデュアルNチャンネルトランジスタです。コンパクトな基板実装電源スイッチングが必要な用途向けのエンハンスメントモードデバイスとして動作します。このコンポーネントは、中程度の連続電流に対応し、広い周囲温度範囲での耐性が求められる用途に適しています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 150V により、高電圧スイッチングが可能
• 最大0.1ΩのRds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 4. 1 Aの連続ドレイン電流により、持続負荷電流をサポート
• 17nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 3.5Wの最大消費電力により、回路内の熱負荷を管理
• -50°C～150°Cの動作範囲により、極端な環境下でも性能を維持
• 最大0.1ΩのRds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 4. 1 Aの連続ドレイン電流により、持続負荷電流をサポート
• 17nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 3.5Wの最大消費電力により、回路内の熱負荷を管理
• -50°C～150°Cの動作範囲により、極端な環境下でも性能を維持
用途
• コンパクトボードのモータドライバハーフブリッジステージに最適
• 産業用制御における高電圧電源スイッチングに最適
• デュアルトランジスタを必要とするDC-DCコンバータ相に使用
• バッテリ管理システムのローサイドスイッチングに使用可能
• 適度なゲート電荷が許容されるゲートドライバーと併用
• 産業用制御における高電圧電源スイッチングに最適
• デュアルトランジスタを必要とするDC-DCコンバータ相に使用
• バッテリ管理システムのローサイドスイッチングに使用可能
• 適度なゲート電荷が許容されるゲートドライバーと併用
プリント基板レイアウトには、どのようなピン数とパッケージタイプを使用しますか?
8ピンPowerPack表面実装パッケージで提供され、高密度基板レイアウトに適し、パッケージ本体を通じて熱伝導を実現します。
このデバイスは負荷下でどのように熱動作しますか?
このデバイスの最大消費電力定格は3.5 Wで、最大150 °Cまで動作できるため、銅面やヒートシンクなどの熱管理には、ジャンクション温度を限界内に保つように設定する必要があります。
ドライブ設計時にはどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース間電圧は20 Vであるため、デバイスの損傷を防止するため、ゲートドライブ回路はこのしきい値内に留まる必要があります。
回路設計におけるトランジスタ構成に制限はありますか?
このコンポーネントには、デュアル構成の2つのNチャンネルトランジスタが含まれており、スキームに応じて補完的なスイッチング配置や並列動作が可能です。
関連ページ
- Vishay MOSFET デュアル 4.1 A 17 nC パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -60 A 51 nC パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET デュアル 6.5 A 12.5 nC パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -4.5 A 4.1 nC パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET 60 V 8ピン, パッケージ：SO-8
- Vishay MOSFET 80 V 0.0296 Ω 10ピン, パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET 40 V 0.0315 Ω 10ピン, パッケージ：PowerPack
- Vishay MOSFET 40 V 0.021 Ω 10ピン, パッケージ：PowerPack