Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 4.1 A, 表面 150 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI7956DP-T1-GE3 パッケージPowerPack
- RS品番:
- 180-7886
- メーカー型番:
- SI7956DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥3,065.00
(税抜)
￥3,371.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,920 は 2026年6月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥613.00 | ￥3,065 |
| 150 - 1420 | ￥539.20 | ￥2,696 |
| 1425 - 1895 | ￥465.00 | ￥2,325 |
| 1900 - 2395 | ￥390.00 | ￥1,950 |
| 2400 + | ￥316.00 | ￥1,580 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 180-7886
- メーカー型番:
- SI7956DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | SI7956DP | |
| パッケージ型式 | PowerPack | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 3.5W | |
| 動作温度 Min | -50°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ SI7956DP | ||
パッケージ型式 PowerPack | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 3.5W | ||
動作温度 Min -50°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.25mm | ||
高さ 1.12mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SI7956DPシリーズMOSFET、150 Vドレインソース電圧、4.1 A連続ドレイン電流 - SI7956DP-T1-GE3
このデュアルNチャンネルMOSFETは、産業用および電子システムの高電圧電源用途向けに設計された表面実装スイッチングデバイスです。負荷スイッチングおよび電力変換作業用の制御された導通を実現し、幅広い環境範囲で動作し、コンパクトなデュアルトランジスタソリューションが必要な基板レベルの統合向けに設計されています。
特長：
• 150 Vのドレイン許容差により、高電圧スイッチング機能を実現 • 4.1 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • 0.1Ω Rds(on)により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上 • 17 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • 3.5 Wの消費電力により、コンパクトなアセンブリでの熱負荷を管理
用途
• オートメーション機器のDC-DCコンバータステージに最適 • 制御パネルのモータドライバハーフブリッジ回路に最適 • 産業用電子機器のスイッチモード電源に使用 • コンパクトプリント基板の配電スイッチに使用可能
安全な動作のために許容できるゲートおよびドレイン電圧は何ですか?
このゲートは最大20 Vまで駆動可能で、このデバイスは最大150 Vのドレインソース電圧に耐えることができます。
このデバイスは、動作中にどのような過酷な熱に耐えられますか?
-50 °Cから最大150 °Cまでの連続使用に対応しています。
プリント基板レイアウトには、どのくらいのピンとどのようなパッケージタイプが期待されますか?
このコンポーネントは、標準的なランドパターンに適した8ピンPowerPack表面実装デバイスとして提供されます。
デュアル構成は回路実装にどのように影響しますか?
2つのトランジスタは1つのパッケージに収められており、コンパクトなペアスイッチ配置と簡素化された基板配線を実現します。
関連ページ
- Vishay MOSFET デュアル 4.1 A 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -60 A 8-Pin エンハンスメント型, SI7997DP-T1-GE3 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -60 A 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル 6.5 A 8-Pin エンハンスメント型, SI7216DN-T1-E3 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル 6.5 A 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -4.5 A 6-Pin エンハンスメント型, SIA931DJ-T1-GE3 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET デュアル -4.5 A 6-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPack
- Vishay MOSFET, SI7143DP-T1-GE3