Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI7216DN-T1-E3 パッケージPowerPack

RS品番:: 180-7922
メーカー型番:: SI7216DN-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI7216DN-T1-E3 パッケージPowerPack

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150 - 1420	￥292.40	￥1,462
1425 - 1895	￥250.20	￥1,251
1900 - 2395	￥208.00	￥1,040
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RS品番:: 180-7922
メーカー型番:: SI7216DN-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	SI7216DN
	パッケージ型式	PowerPack
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	25mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-50°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	20.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	12.5nC
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	幅	3.4 mm
	高さ	1.12mm
	長さ	3.4mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ SI7216DN
	パッケージ型式 PowerPack
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -50°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 20.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.5nC
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	幅 3.4 mm
	高さ 1.12mm
	長さ 3.4mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay SI7216DN は、 40 V のドレイン - ソース（ Vds ）電圧を備えたデュアル N チャンネル MOSFET です。ゲート - ソース電圧（ VGS ）は 20 V です。この製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.032 Ω @ 10VGS 、 0.039 Ω @ 4.5 VGS最大ドレイン電流： 6 A

トレンチ FET パワー MOSFET

低熱抵抗パワー PAK パッケージは、小型で 1.07 mm の低プロファイルです

100 % Rg及びUISテスト済み

RoHS 指令 2002/95/EC に準拠