Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
180-7399
メーカー型番:
SQ2337ES-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

314mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.5nC

動作温度 Max

175°C

高さ

1.12mm

幅

2.64 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 80 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新しいエージ加工製品です。ドレインソース抵抗は 290 mhm 、ゲートソース電圧は 4.5 V です。最大消費電力は 3 W 、連続ドレイン電流は 2.2 A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。車載用途に使用されます。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• AEC-Q101 （ AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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