Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 35 A, 表面 40 V, 8-Pin, SIS443DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

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梱包形態
RS品番:
180-7730
メーカー型番:
SIS443DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0117Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

52W

動作温度 Max

150°C

長さ

3.61mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

0.79mm

3.61 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル PowerPak-12-8 MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新しい時代型製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 11.7 mahms となっています。最大消費電力は 52 W 、連続ドレイン電流は 35 A です。最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•アダプタスイッチ

• DC/DC コンバータ

•負荷スイッチ

•モバイルコンピューティング

• ノートブックコンピュータ

• パワー管理

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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