Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 40 A, 表面 30 V, 8-Pin, SIS476DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

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梱包形態
RS品番:
180-7743
メーカー型番:
SIS476DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0035Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

幅

3.61 mm

長さ

3.61mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SIS476DN は、ドレイン - ソース間（ Vds ）電圧 30 V の N チャンネル MOSFET です。ゲートとソース間の電圧（ VGS ）は 20 V です。Power PAK 1212-8 パッケージで提供されています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.0025 Ω @ 10VGS 、 0.0035 Ω @ 4.5 VGS最大ドレイン電流： 40 A

トレンチ FET gen IV パワー MOSFET です

100 % Rg及びUISテスト済み

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