Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 40 A, 表面 30 V, 8-Pin, SIS476DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,570.00

(税抜)

¥1,727.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年7月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥157.00¥1,570
150 - 1390¥138.40¥1,384
1400 - 1890¥120.00¥1,200
1900 - 2390¥101.10¥1,011
2400 +¥82.70¥827

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-7743
メーカー型番:
SIS476DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0035Ω

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

最大許容損失Pd

52W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

長さ

3.61mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Vishay SIS476DN は、ドレイン - ソース間( Vds )電圧 30 V の N チャンネル MOSFET です。ゲートとソース間の電圧( VGS )は 20 V です。Power PAK 1212-8 パッケージで提供されています。ドレイン - ソース間抵抗( RDS )を提供します。 0.0025 Ω @ 10VGS 、 0.0035 Ω @ 4.5 VGS最大ドレイン電流: 40 A

トレンチ FET gen IV パワー MOSFET です

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。