2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI3993CDV-T1-GE3 パッケージTSOP
- RS品番:
- 812-3189
- メーカー型番:
- SI3993CDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 812-3189
- メーカー型番:
- SI3993CDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 188mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.4W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 幅 | 1.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 188mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.2nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大許容損失Pd 1.4W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
幅 1.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1mm | ||
長さ 3.1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay TrenchFETシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流2.3 A - SI3993CDV-T1-GE3
このパワーMOSFETは、コンパクトで低電力用途向けに設計された表面実装Pチャンネルスイッチングトランジスタです。低電圧範囲で動作し、デュアルエレメント絶縁トランジスタ構成が必要な効率的なスイッチング作業に適しています。このコンポーネントは、電子制御システムの基板レベルの統合に適したスリムなTSOPパッケージで提供されます。
特長：
• 最大ドレイン電圧30 Vにより、安全な低電圧スイッチングを実現
• 2.3 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 188 mΩの低RDS(on)により、導通損失を低減
• 5.2 nCの標準ゲート充電により、高速ゲートスイッチングを実現
• 1.4 Wの消費電力により、デューティサイクル動作を実現
• 絶縁デュアルエレメント設計により、スプリットチャンネル実装が可能
• 2.3 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 188 mΩの低RDS(on)により、導通損失を低減
• 5.2 nCの標準ゲート充電により、高速ゲートスイッチングを実現
• 1.4 Wの消費電力により、デューティサイクル動作を実現
• 絶縁デュアルエレメント設計により、スプリットチャンネル実装が可能
用途
• オートメーションモジュールの低電圧モータ制御に最適
• コンパクトな電源での電源スイッチングに最適
• 組み込み制御システムの負荷スイッチングに使用
• バッテリ管理回路の極性制御に使用可能
• コンパクトな電源での電源スイッチングに最適
• 組み込み制御システムの負荷スイッチングに使用
• バッテリ管理回路の極性制御に使用可能
動作中に期待できる熱範囲は?
このデバイスは、-55°C～150°Cの範囲で動作する定格で、幅広い温度環境で使用できます。
このパッケージは、ボードアセンブリをどのようにサポートしますか?
6ピンのTSOP表面実装形式により、密集した基板への自動配置とはんだ付けが容易になります。
このゲートは高い制御電圧に対応できますか?
ゲートの酸化を損傷することを避け、指定された性能を維持するために、ゲートの最大20 Vを超えないでください。
このデバイスは、1つのチップでマルチエレメント構成をサポートしていますか?
はい、チップあたり2つのエレメントを絶縁構成で搭載しているため、外部絶縁なしでペアリングスイッチング配置が可能です。
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