型番

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI3993CDV-T1-GE3 パッケージTSOP

RS品番:: 812-3189
メーカー型番:: SI3993CDV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI3993CDV-T1-GE3 パッケージTSOP

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RS品番:: 812-3189
メーカー型番:: SI3993CDV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	TSOP
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	188mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.2nC
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	1.4W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	規格 / 承認	No
	幅	1.7 mm
	高さ	1mm
	長さ	3.1mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 TSOP
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 188mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.2nC
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 1.4W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	規格 / 承認 No
	幅 1.7 mm
	高さ 1mm
	長さ 3.1mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI3993CDV-T1-GE3 パッケージTSOP

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デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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