Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2300DS-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥721.00

(税抜)

￥793.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 4,675 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥28.84￥721
150 - 1350￥27.80￥695
1375 - 1725￥26.76￥669
1750 - 2225￥25.72￥643
2250 +￥24.72￥618

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-7944
メーカー型番:
SI2300DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

68mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

長さ

3.04mm

規格 / 承認

No

幅

2.64 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装NチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が30V、最大ゲート-ソース間電圧が12Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧4.5Vでのドレイン・ソース間抵抗は68mΩである。最大消費電力は1.7W、連続ドレイン電流は3.6Aである。このトランジスタの最小駆動電圧は2.5V、最大駆動電圧は4.5Vである。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～150°C

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• 携帯機器用DC/DCコンバータ

• 負荷スイッチ

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

関連ページ