Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 5.8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2366DS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
812-3132
メーカー型番:
SI2366DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si2366DS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

42mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.1W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.4nC

順方向電圧 Vf

0.85V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

1.4mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay Si2366DSシリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流5.8 A - SI2366DS-T1-GE3


このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの表面実装電源スイッチング用に設計された低電圧Nチャンネル半導体デバイスです。中程度の電圧範囲で動作し、極端な温度に対応するため、小さなフットプリントと制御されたスイッチング動作が必要な高密度基板レベルの設計に適しています。

特長:


• 42 mΩ Rds(on)により、スイッチング時の導通損失を低減
• 5.8 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 30 Vドレインソース定格により、低電圧電源レールを実現
• 6.4 nCの標準ゲート充電により、高速ゲートトランジションを実現
• 2.1 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 最高動作温度150°Cで高温環境に耐える

用途


• オートメーション機器のDCステップダウンコンバータに最適
• 制御モジュールおよびインターフェイスモジュールの負荷スイッチングに最適
• 小型電気機械システムのモータドライバステージに使用
• バッテリ保護および電源経路管理に使用可能
• 表面実装部品を必要とするコンパクトなコンシューマ電源と併用

プリント基板アセンブリには、どのような取り付けスタイルが必要ですか?


標準SOT-23フットプリントと互換性のある3ピンパッケージで、表面実装用に提供されます。

設計者はどのようなゲート電圧耐久性を期待すべきですか?


このデバイスは、最大20 Vのゲートソース電圧に耐えるため、ゲートドライブはその制限内に留まる必要があります。

周囲温度範囲はどのくらいですか?


-55 °Cおよび最大150 °Cのジャンクション温度で幅広い熱マージンで動作するように指定されています。

レイアウトには、どのような機械的パッケージサイズの考慮事項がありますか?


このパッケージの長さは約3.04 mm、幅は1.4 mm、高さは約1.02 mmで、フットプリントとクリアランスプランニングを実現します。

注意すべき環境特性や規制特性はありますか?


このコンポーネントは、有害物質の低減に関するRoHS要件に適合しています。

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