Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SQD50P06-15L_GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7967
メーカー型番:
SQD50P06-15L_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

98nC

最大許容損失Pd

136W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.41mm

高さ

2.38mm

幅

6.73 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
TW

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装PチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が60V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は15.5mΩである。連続ドレイン電流は50A、最大消費電力は136Wである。このトランジスタの最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。自動車用途に使用されている。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～175°C

• 熱抵抗の低いパッケージ

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• アダプター・スイッチ

• ロードスイッチ

認定資格


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• Rgテスト済み

• UISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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