Vishay MOSFET, Nチャンネル, 50 A, 表面実装, 3 ピン, SQD50N05-11L_GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9493
メーカー型番:
SQD50N05-11L_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

50 A

最大ドレイン-ソース間電圧

50 V

シリーズ

SQ Rugged

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

24 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

1.5V

最大パワー消費

75 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

幅

6.22mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

34.6 nC @ 10 V

長さ

6.73mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+175 °C

自動車規格

AEC-Q101

高さ

2.38mm

動作温度 Min

-55 °C

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点


• AEC-Q101認定
• ジャンクション温度: 最高+175 °C
• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術
• 画期的な省スペースのパッケージオプション

認可

AEC-Q101

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MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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