Vishay TrenchFET パワーMOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SQ2310ES-T1_BE3

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梱包形態
RS品番:
787-9443
メーカー型番:
SQ2310ES-T1_BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

TrenchFET パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

SQ Rugged

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.03Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.5nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

長さ

3.04mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点


• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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