1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 4.1 A 800 V, 3-Pin

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RS品番:
180-8316
メーカー型番:
IRFBE30LPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78nC

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.8V

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay IRFBE30Lは、ドレイン・ソース間電圧（Vds）が800V、ゲート・ソース間電圧（VGS）が20VのNチャンネル・パワーMOSFETである。パッケージはI2PAK（TO-262）とD2PAK（TO-263）がある。ドレイン・ソース間抵抗(RDS.)は10VGSで3Ωです。最大ドレイン電流4.1A。

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