Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 800 V, 4.1 A, 3 Ω, 78 nC, 3ピン, パッケージ：TO-262

RS品番:: 180-8316
メーカー型番:: IRFBE30LPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 800 V, 4.1 A, 3 Ω, 78 nC, 3ピン, パッケージ：TO-262

取扱停止中

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RS品番:: 180-8316
メーカー型番:: IRFBE30LPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	パッケージ型式	TO-262
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3Ω
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	125W
	順方向電圧 Vf	1.8V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	78nC
	トランジスタ構成	シングル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	パッケージ型式 TO-262
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 125W
	順方向電圧 Vf 1.8V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 78nC
	トランジスタ構成シングル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

Datasheet

COO（原産国）:: CN

VishayパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧800 V、最大連続ドレイン電流4.1 A - IRFBE30LPBF

このパワーMOSFETは、産業用電子機器の高電圧スイッチングおよび電力変換作業向けに設計されたNチャンネルトランジスタです。TO-262パッケージに収められ、高いドレイン-ソース電圧と広い熱範囲にわたって持続的な電力損失に対応できるシングルエレメントパワートランジスタとして機能し、堅牢な電圧耐久性が求められる過酷な動作条件に適しています。

特長：

• 800V ドレイン容量により、高電圧スイッチングを実現
• 125 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 中負荷用途向けの4.1A連続ドレイン電流
• 3Ω Rdsにより、予測可能なオン抵抗特性を実現
• 78nCゲート充電により、制御されたスイッチングトランジションを実現
• 20V Vgs によりゲートの完全性を最大限保護

用途

• 産業用高電圧電源に最適
• スイッチモード電力変換段階に最適
• 高Vdsを必要とするモーター駆動回路に使用
• 過負荷保護およびスナバ回路に使用可能
• 高温範囲が重要な電力管理に便利

動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?

-55°C～150°Cの幅広い温度範囲で動作し、温度変化が大きい環境に適しています。

使用中にゲート保護はどのように維持されますか?

最大許容ゲート-ソース間電圧は20 Vで、損傷を防止するために安全なゲートドライブ振幅のしきい値を定義します。

熱および取り付けのニーズに関して、どのようなパッケージを検討する必要がありますか?

TO-262パッケージは、3ピンの堅牢な取り付け形式を提供し、デバイスの125W定格に対応する放熱をサポートします。

チップにはどれくらいのアクティブエレメントが含まれていますか?

このデバイスは、1チップあたり単一のアクティブエレメントで構成されており、シングルトランジスタ構成の回路トポロジを簡素化します。