Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 400 V, 10 A, 0.55 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
180-8642
メーカー型番:
IRF740ALPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

400V

パッケージ型式

TO-263

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.55Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Min

-55°C

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

高さ

4.83mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

幅

10.67mm

長さ

9.65mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

VishayパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧400 V、最大連続ドレイン電流10 A - IRF740ALPBF


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび電力変換用途向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。過酷な熱環境で動作し、堅牢な電圧処理と中程度の電流容量を備えた3端子デバイスを必要とする設計に適しています。

特長:


• 高電圧スイッチング用途向けの400Vドレイン定格
• 10Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷をサポート
• 0.55Ω Rds(on)により、制御された伝導損失を実現
• 125Wの消費電力により、大幅な熱スループットを実現
• 36nCの標準ゲート電荷により、駆動エネルギー要件を低減
• 標準ゲートドライブ互換性を実現する最大ゲートソース電圧 30V

用途


• オフラインSMPS一次スイッチング段に最適
• 電源の力率補正回路に最適
• 低速ドライブ用のモータ制御フロントエンドと併用
• 産業用照明バラストスイッチングに使用可能
• 高電圧テストおよび測定機器に便利

動作時の許容温度範囲はどのくらいですか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、広い周囲環境や高いジャンクション環境での使用が可能です。

プリント基板実装には、どのようなパッケージフォームファクタを使用しますか?


TO-263パッケージで提供され、表面実装組立用のフラットパワータブと3つの端子を備えています。

関連する環境基準や材料基準はありますか?


このデバイスはRoHS 2002/95/ECに準拠し、IEC 61249-2-21の材質仕様に準拠しています。

ゲート充電により、ゲートドライブに関するどのような考慮事項がありますか?


標準QgはVgsで36nCで、ゲートドライバは、過度の遅延なしに必要なスイッチング速度を達成するために十分な過渡電流を供給する必要があります。

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