1 Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 2.7 A, 表面 60 V, 4-Pin, IRLL014TRPBF パッケージSOT-223

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,272.00

(税抜)

￥1,399.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 20 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥127.20￥1,272
150 - 1190￥111.20￥1,112
1200 - 1590￥95.40￥954
1600 - 1990￥80.70￥807
2000 +￥64.70￥647

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-8823
メーカー型番:
IRLL014TRPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.2Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.4nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±10 V

最大許容損失Pd

3.1W

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

幅

3.3 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.3mm

高さ

1.8mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay MOSFET は、 N チャンネルの SOT-23-3 パッケージで、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 10 V の新製品です。ゲートソース電圧 5 V でのドレインソース抵抗は 200 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 3.1 W です。 最小及び最大駆動電圧は、それぞれ 4 V 及び 5 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•テープとリールで提供されています

•ダイナミック dV/dt 定格

•並列化が容易

•高速スイッチング

•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント

• ロジックレベルゲートドライブ

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• VGS で指定される RDS （ on ）は 4 V 及び 5 V です

用途


•バッテリ充電器

• インバータ

• 電源

スイッチングモード電源（ SMPS ）

関連ページ