1 Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 2.7 A, 表面 60 V, 4-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 180-8362
- メーカー型番:
- IRLL014TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ¥108.108 | ¥270,270 |
| 12500 - 22500 | ¥106.555 | ¥266,388 |
| 25000 - 60000 | ¥103.899 | ¥259,748 |
| 62500 - 122500 | ¥101.243 | ¥253,108 |
| 125000 + | ¥98.597 | ¥246,493 |
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- RS品番:
- 180-8362
- メーカー型番:
- IRLL014TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.2Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±10 V | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.3mm | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.2Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.4nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±10 V | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.3mm | ||
高さ 1.8mm | ||
幅 3.3 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay
Vishay MOSFET は、 N チャンネルの SOT-23-3 パッケージで、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 10 V の新製品です。ゲートソース電圧 5 V でのドレインソース抵抗は 200 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 3.1 W です。 最小及び最大駆動電圧は、それぞれ 4 V 及び 5 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•テープとリールで提供されています
•ダイナミック dV/dt 定格
•並列化が容易
•高速スイッチング
•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント
• ロジックレベルゲートドライブ
•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C
• VGS で指定される RDS ( on )は 4 V 及び 5 V です
用途
•バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
スイッチングモード電源( SMPS )
