2 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプN, タイプPチャンネル, 4.6 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージTSOT
- RS品番:
- 182-6878
- メーカー型番:
- DMC3071LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥13.167 | ¥39,501 |
| 15000 - 27000 | ¥13.041 | ¥39,123 |
| 30000 - 72000 | ¥12.78 | ¥38,340 |
| 75000 - 147000 | ¥12.527 | ¥37,581 |
| 150000 + | ¥12.266 | ¥36,798 |
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- RS品番:
- 182-6878
- メーカー型番:
- DMC3071LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TSOT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 140mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 1.1W | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 長さ | 3mm | |
| 幅 | 1.7 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 規格 / 承認 | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TSOT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 140mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.1nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 1.1W | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max -55°C | ||
長さ 3mm | ||
幅 1.7 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
規格 / 承認 UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(on))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
低オン抵抗
低入力静電容量
高速スイッチング速度
低入出力リーク
完全に鉛フリー
ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン(低環境負荷)」デバイス
用途
バックライト
DC-DCコンバータ
パワー管理機能
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