DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET30 V 2 A、4.5 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン
- RS品番:
- 823-2915
- メーカー型番:
- DMG6601LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 50 - 100 | ￥42.96 | ￥2,148.00 |
| 150 - 1200 | ￥41.70 | ￥2,085.00 |
| 1250 - 1450 | ￥28.36 | ￥1,418.00 |
| 1500 - 2450 | ￥21.66 | ￥1,083.00 |
| 2500 + | ￥15.00 | ￥750.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 823-2915
- メーカー型番:
- DMG6601LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
その他
詳細情報
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N, P |
| 最大連続ドレイン電流 | 2 A、4.5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | TSOT-26 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 6 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 85 mΩ, 190 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 1.3 W |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 1.6mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V、13.8 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 2.9mm |
| 高さ | 0.9mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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