2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG6601LVT-7 パッケージTSOT

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梱包形態
RS品番:
823-2915
メーカー型番:
DMG6601LVT-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TSOT

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.4nC

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

0.75V

最大許容損失Pd

1.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

2.9mm

高さ

0.9mm

幅

1.6 mm

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


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