型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG6601LVT-7 パッケージTSOT

RS品番:: 823-2915
メーカー型番:: DMG6601LVT-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG6601LVT-7 パッケージTSOT

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RS品番:: 823-2915
メーカー型番:: DMG6601LVT-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	4.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	TSOT
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	1.3W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.4nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	動作温度 Min	150°C
	順方向電圧 Vf	0.75V
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	規格 / 承認	AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	長さ	2.9mm
	高さ	0.9mm
	幅	1.6 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id 4.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 TSOT
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 1.3W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.4nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	動作温度 Min 150°C
	順方向電圧 Vf 0.75V
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	長さ 2.9mm
	高さ 0.9mm
	幅 1.6 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG6601LVT-7 パッケージTSOT

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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