DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 0.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX1-DFN

RS品番:: 182-6892
メーカー型番:: DMN2450UFD-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 0.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX1-DFN

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15000 - 27000	￥8.868	￥26,604
30000 - 72000	￥8.401	￥25,203
75000 - 147000	￥8.158	￥24,474
150000 +	￥7.925	￥23,775

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RS品番:: 182-6892
メーカー型番:: DMN2450UFD-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	0.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	X1-DFN
	シリーズ	DMN
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	890mW
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.7nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.48mm
	幅	1.25 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	1.25mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 0.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 X1-DFN
	シリーズ DMN
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 890mW
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.7nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.48mm
	幅 1.25 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 1.25mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet DMN2450UFD-7

COO（原産国）:: CN

このMOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

非常に低いゲートしきい値電圧、最大1.0 V

低入力静電容量

高速スイッチング速度

ESD保護ゲート

完全に鉛フリー

ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン(低環境負荷)」デバイス

用途

パワー管理機能

バッテリー駆動システム及びSSR

負荷スイッチ