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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	30.8 A (状態), 43.6 A (定常)
	最大ドレイン-ソース間電圧	40 V
	パッケージタイプ	PowerDI5060
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	25 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	3V
	最低ゲートしきい値電圧	1V
	最大パワー消費	42.8 W
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	幅	4.95mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	長さ	5.85mm
	動作温度 Max	+175 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs	10.2 nC @ 10 V
	自動車規格	AEC-Q101
	高さ	1.05mm
	動作温度 Min	-55 °C
	順方向ダイオード電圧	1.2V

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 30.8 A (状態), 43.6 A (定常)
	最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
	パッケージタイプ PowerDI5060
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 25 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 3V
	最低ゲートしきい値電圧 1V
	最大パワー消費 42.8 W
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	幅 4.95mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	長さ 5.85mm
	動作温度 Max +175 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
	自動車規格 AEC-Q101
	高さ 1.05mm
	動作温度 Min -55 °C
	順方向ダイオード電圧 1.2V

Datasheet DMTH4014LPD-13

COO（原産国）:: CN

このMOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

定格+175 °C - 高周囲温度環境に最適
100 %クランプ解除誘導型スイッチング – より高い信頼性と堅牢性の最終的なアプリケーションを実現
高変換効率
低RDS(ON) - オン状態の損失を最小化
低入力静電容量
高速スイッチング速度
用途
パワー管理機能
DC-DCコンバータ
バックライト

DiodesZetex MOSFET, Nチャンネル, 表面実装, 8 ピン, DMTH4014LPD-13

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