DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 10 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- RS品番:
- 182-7095
- メーカー型番:
- DMN6069SE-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
単価： 購入単位は50個
￥73.28
(税抜)
￥80.61
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ￥73.28 | ￥3,664.00 |
| 100 - 950 | ￥71.14 | ￥3,557.00 |
| 1000 - 1450 | ￥50.48 | ￥2,524.00 |
| 1500 - 1950 | ￥40.16 | ￥2,008.00 |
| 2000 + | ￥29.78 | ￥1,489.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 182-7095
- メーカー型番:
- DMN6069SE-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
データシート
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(on))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
用途
モータ制御
トランス駆動スイッチ
DC-DCコンバータ
パワー管理機能
無停電電源
モータ制御
トランス駆動スイッチ
DC-DCコンバータ
パワー管理機能
無停電電源
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 10 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-223 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 100 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 11 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 6.55mm |
| 幅 | 3.55mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 1.65mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 自動車規格 | AEC-Q101 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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