型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR4170NT1G

RS品番:: 184-1305
メーカー型番:: NTR4170NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR4170NT1G

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RS品番:: 184-1305
メーカー型番:: NTR4170NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	110mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	4.76nC
	最大許容損失Pd	480mW
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.01mm
	規格 / 承認	No
	長さ	3.04mm
	幅	1.4 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.76nC
	最大許容損失Pd 480mW
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.01mm
	規格 / 承認 No
	長さ 3.04mm
	幅 1.4 mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

30 V N チャンネルパワー MOSFET です。

低 rDS （ on ）で導電損失を最小限に抑制

低ゲートチャージ

低しきい値レベル

用途:

ポータブル用パワーコンバータです

バッテリマネージメント

負荷 / 電源スイッチ

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR4170NT1G

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