onsemi MOSFET, Nチャンネル, 260 mA, 表面実装, 3 ピン, NTR5103NT1G

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梱包形態
RS品番:
184-1331
メーカー型番:
NTR5103NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

260 mA

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

SOT-23

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

3 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.6V

最低ゲートしきい値電圧

1.9V

最大パワー消費

300 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±30 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

1.4mm

長さ

3.04mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

0.81 nC @ 5 V

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.01mm

順方向ダイオード電圧

1.2V

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
CN
小信号 MOSFET ： 60 V 、 310 mA 、シングル、 N チャンネル、 SOT-23

低RDS(on)
SOT-23 - 小型フットプリント表面実装パッケージ
効率の改善
業界標準パッケージ
用途:
ローサイド負荷スイッチ
レベルシフト回路
DC-DC コンバータ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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