- RS品番:
- 184-4156
- メーカー型番:
- 2N7000-D26Z
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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¥16.154
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
2000 - 8000 | ¥16.154 | ¥32,308.00 |
10000 - 18000 | ¥15.672 | ¥31,344.00 |
20000 - 48000 | ¥14.836 | ¥29,672.00 |
50000 - 98000 | ¥14.419 | ¥28,838.00 |
100000 + | ¥14.00 | ¥28,000.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 184-4156
- メーカー型番:
- 2N7000-D26Z
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
これらの N チャネル小型信号 MOSFET は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS 技術を使って製造されています。これらの製品は、オンステートの抵抗を最小限に抑えながら、堅牢で信頼性の高い高速スイッチング性能を提供するように設計されています。これらは、最大 400mA の DC を必要とするほとんどのアプリケーションで使用でき、最大 2A のパルス電流を供給できますこれらの製品は、低電圧、低電流用途に特に適しています。
電圧制御の小型信号スイッチ
飽和電流能力が高い
堅牢、高信頼性
低 RDS (ON) 用高密度セル設計
用途
小型サーボモーター制御
パワー MOSFET ゲートドライバ
各種スイッチングアプリケーション
飽和電流能力が高い
堅牢、高信頼性
低 RDS (ON) 用高密度セル設計
用途
小型サーボモーター制御
パワー MOSFET ゲートドライバ
各種スイッチングアプリケーション
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 200 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
パッケージタイプ | TO-92 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 9 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3V |
最低ゲートしきい値電圧 | 0.8V |
最大パワー消費 | 400 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 5.2mm |
動作温度 Max | +150 °C |
幅 | 4.19mm |
高さ | 5.33mm |
動作温度 Min | -55 °C |
順方向ダイオード電圧 | 1.5V |
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