onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 200 mA エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92
- RS品番:
- 184-4156
- メーカー型番:
- 2N7000-D26Z
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | ￥17.013 | ￥34,026 |
| 10000 - 18000 | ￥16.888 | ￥33,776 |
| 20000 - 48000 | ￥16.596 | ￥33,192 |
| 50000 - 98000 | ￥16.304 | ￥32,608 |
| 100000 + | ￥16.003 | ￥32,006 |
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- RS品番:
- 184-4156
- メーカー型番:
- 2N7000-D26Z
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 200mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| シリーズ | 2N7000 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.88V | |
| 最大許容損失Pd | 400mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 5.33mm | |
| 幅 | 4.19 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 200mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
シリーズ 2N7000 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.88V | ||
最大許容損失Pd 400mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 5.33mm | ||
幅 4.19 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
これらの N チャネル小型信号 MOSFET は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS 技術を使って製造されています。これらの製品は、オンステートの抵抗を最小限に抑えながら、堅牢で信頼性の高い高速スイッチング性能を提供するように設計されています。これらは、最大 400mA の DC を必要とするほとんどのアプリケーションで使用でき、最大 2A のパルス電流を供給できますこれらの製品は、低電圧、低電流用途に特に適しています。
電圧制御の小型信号スイッチ
飽和電流能力が高い
堅牢、高信頼性
低 RDS (ON) 用高密度セル設計
用途
小型サーボモーター制御
パワー MOSFET ゲートドライバ
各種スイッチングアプリケーション