onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 50 V, 130 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BVSS84LT1G
- RS品番:
- 184-4729
- メーカー型番:
- BVSS84LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 184-4729
- メーカー型番:
- BVSS84LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 130mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| シリーズ | BVSS8L | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 10Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| 最大許容損失Pd | 225mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 高さ | 1.01mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 130mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
シリーズ BVSS8L | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.2nC | ||
最大許容損失Pd 225mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.4 mm | ||
高さ 1.01mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
低消費電力用途に最適な車載用パワー MOSFET 。-50V-130mA 10 Ω シングル P チャネル SOT-23 ロジックレベルPPAP対応のため、車載用途に適しています。
AEC認定
PPAP対応
基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージです
車載用 MOSFET
用途
DC-DCコンバータ
負荷スイッチング
コンピュータ、プリンタ、携帯電話、コードレス電話など、ポータブル製品やバッテリー駆動製品の電源管理