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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	110mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	240W
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	58nC
	動作温度 Max	150°C
	長さ	15.87mm
	幅	4.82 mm
	高さ	20.82mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 240W
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC
	動作温度 Max 150°C
	長さ 15.87mm
	幅 4.82 mm
	高さ 20.82mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet NVHL110N65S3F

未対応

SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。そのため、 SuperFET III MOSFET は、小型化と高効率化のための各種電源システムに最適です。SuperFET III FRFET MOSFET は、ボディダイオードの最適なリバースリカバリ性能により、追加コンポーネントを除去し、システムの信頼性を向上させます。

700 V @ TJ = 150 °C

超低ゲートチャージ (typ) QG =58 nc)

低実効出力容量 (typ) COSS (eff.) = 553 pF)

PPAP対応

標準 RDS (ON) = 93m Ω

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

低スイッチング損失

PPAP対応

用途

HV DC/DC コンバータ

最終製品

オンボード充電器

DC/DCコンバータ

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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