- RS品番:
- 186-1537
- メーカー型番:
- NVHL072N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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2 - 48 | ¥1,250.00 | ¥2,500.00 |
50 - 498 | ¥1,123.50 | ¥2,247.00 |
500 - 998 | ¥997.50 | ¥1,995.00 |
1000 - 1998 | ¥871.00 | ¥1,742.00 |
2000 + | ¥744.50 | ¥1,489.00 |
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- RS品番:
- 186-1537
- メーカー型番:
- NVHL072N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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詳細情報
SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、SUPERFET III MOSFET Easy driveシリーズを使用すれば、EMIの問題を処理し、設計を簡単に実装できるようになります。
700 V @ TJ = 150 °C
超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)
PPAP対応
標準 RDS (ON) = 63m Ω
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
PPAP対応
用途
HV DC/DC コンバータ
最終製品
オンボード充電器
DC/DCコンバータ
超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)
PPAP対応
標準 RDS (ON) = 63m Ω
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
PPAP対応
用途
HV DC/DC コンバータ
最終製品
オンボード充電器
DC/DCコンバータ
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仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 44 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 107 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
最大パワー消費 | 312 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
長さ | 15.87mm |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
幅 | 4.82mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
自動車規格 | AEC-Q101 |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 20.82mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
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