onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 44 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NVHL080N120SC1

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梱包形態
RS品番:
189-0419
メーカー型番:
NVHL080N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

44A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

162mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

348W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

順方向電圧 Vf

4V

動作温度 Max

175°C

幅

4.82 mm

高さ

20.82mm

長さ

15.87mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、80モーム、1200 V、M1、TO247−3


シリコンカーバイド（ SiC ） MOSFET は、まったく新しい技術によって、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

1200 V 定格

最大 RDS （ on ） = 110 m Ω @ Vgs = 20 V 、 Id = 20 A

高速スイッチング及び低静電容量

鉛フリー

用途

PFC

オブリティッシュ

最終製品

EV / PHEV 用の車載 DC/DC コンバータです

車載オンボード充電器

自動車用補助モータ駆動

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