Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SH

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥175,824.00

(税抜)

¥193,407.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000¥58.608¥175,824
6000 - 27000¥58.42¥175,260
30000 - 42000¥58.222¥174,666
45000 - 57000¥58.024¥174,072
60000 +¥57.826¥173,478

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
188-4896
メーカー型番:
SISHA04DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SiSHA04DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8SH

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00215Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.5nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

高さ

0.93mm

規格 / 承認

No

3.3 mm

自動車規格

なし

N チャンネル 30 V ( D-S ) MOSFET です。

TrenchFET ® Gen IV パワー MOSFET

関連ページ