Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

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RS品番:
188-4899
メーカー型番:
SiSHA14DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SiSHA14DN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

26.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.4nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.3mm

幅

3.3 mm

高さ

0.93mm

自動車規格

なし

N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

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