Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISHA10DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-5146
メーカー型番:
SISHA10DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SiSHA10DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

39W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

高さ

0.93mm

自動車規格

なし

N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

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