STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB80NF55-06T4
- RS品番:
- 188-8527
- メーカー型番:
- STB80NF55-06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 188-8527
- メーカー型番:
- STB80NF55-06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 142nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 4.37mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 142nC | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 4.37mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
このパワーMOSFETは、STマイクロエレクトロン独自の「Single Feature Size™」ストリップ・ベース・プロセスの最新開発製品です。得られたトランジスタは、低オン抵抗、堅牢なアバランシェ特性、クリティカルなアライメントステップが少ないため、製造の再現性が極めて高い。
卓越したdv/dt能力
アプリケーション指向の特性評価
用途
スイッチング・アプリケーション
用途
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