STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB80NF55-06T4

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梱包形態
RS品番:
188-8527
メーカー型番:
STB80NF55-06T4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

142nC

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

幅

9.35 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.4mm

高さ

4.37mm

自動車規格

なし

このパワーMOSFETは、STマイクロエレクトロン独自の「Single Feature Size™」ストリップ・ベース・プロセスの最新開発製品です。得られたトランジスタは、低オン抵抗、堅牢なアバランシェ特性、クリティカルなアライメントステップが少ないため、製造の再現性が極めて高い。

卓越したdv/dt能力

アプリケーション指向の特性評価

用途

スイッチング・アプリケーション

用途

スイッチング・アプリケーション

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