onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 362 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C406NLT1G

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梱包形態
RS品番:
189-0435
メーカー型番:
NVMFS5C406NLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

362A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

DFN

シリーズ

NVMFS5C406NL

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

149nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

5.1 mm

長さ

6.1mm

高さ

1.05mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するための湿式テーブルフランクオプションが用意されています。

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するための湿式テーブルフランクオプションが用意されています。

省スペース(5 x 6 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

NVMFS5C404NLWF - ウェッタブルフランク光学素子

PPAP対応

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

強化された光学性能

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

ソレノイドドライバ - ABS 、燃料噴射

モータ制御 - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど

、負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ

省スペース(5 x 6 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

NVMFS5C404NLWF - ウェッタブルフランク光学素子

PPAP対応

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

強化された光学性能

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

ソレノイドドライバ - ABS 、燃料噴射

モータ制御 - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど

、負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ

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