onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 362 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C406NLT1G
- RS品番:
- 189-0435
- メーカー型番:
- NVMFS5C406NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 189-0435
- メーカー型番:
- NVMFS5C406NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 362A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| シリーズ | NVMFS5C406NL | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 149nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5.1 mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 362A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
シリーズ NVMFS5C406NL | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 149nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5.1 mm | ||
長さ 6.1mm | ||
高さ 1.05mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するための湿式テーブルフランクオプションが用意されています。
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するための湿式テーブルフランクオプションが用意されています。
省スペース(5 x 6 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
NVMFS5C404NLWF - ウェッタブルフランク光学素子
PPAP対応
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
強化された光学性能
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
ソレノイドドライバ - ABS 、燃料噴射
モータ制御 - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど
、負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ
省スペース(5 x 6 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
NVMFS5C404NLWF - ウェッタブルフランク光学素子
PPAP対応
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
強化された光学性能
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
ソレノイドドライバ - ABS 、燃料噴射
モータ制御 - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど
、負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ
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