型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK

RS品番:: 195-2504
メーカー型番:: NTMJS1D5N04CLTWG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK

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6000 - 27000	￥134.98	￥404,940
30000 - 42000	￥134.527	￥403,581
45000 - 57000	￥134.075	￥402,225
60000 +	￥133.623	￥400,869

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RS品番:: 195-2504
メーカー型番:: NTMJS1D5N04CLTWG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	200A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	LFPAK
	シリーズ	NTMJS1D5N04CL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.2mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	110W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	70nC
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	幅	4.9 mm
	高さ	1.15mm
	長さ	5mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 200A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 LFPAK
	シリーズ NTMJS1D5N04CL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.2mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 110W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	幅 4.9 mm
	高さ 1.15mm
	長さ 5mm
	自動車規格なし

Datasheet NTMJS1D5N04CLTWG

5 x 6 mmフラットリードパッケージの産業用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK8 パッケージ（業界標準

鉛フリー