onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 262 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK, NTMJS1D4N06CLTWG
- RS品番:
- 201-3407
- メーカー型番:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 9000 - 9000 | ¥145.816 | ¥437,448 |
| 12000 - 12000 | ¥144.277 | ¥432,831 |
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- RS品番:
- 201-3407
- メーカー型番:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 262A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | NTMJS1D4N06CL | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.3Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 103nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 180W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 高さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 1.3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 262A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ NTMJS1D4N06CL | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.3Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 103nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 180W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 4.9mm | ||
高さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 1.3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor 60 V N チャンネル MOSFET は、 5 x 6 mm の産業用電源を備え、コンパクトかつ効率的な設計に使用され、優れた熱特性を備えています。また、鉛フリーで、 RoHS に準拠しています。
低い導電損失を最小化
低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化
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