onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 164 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK, NVMJS2D5N06CLTWG

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RS品番:
195-2507
メーカー型番:
NVMJS2D5N06CLTWG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

164A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NVMJS2D5N06CL

パッケージ型式

LFPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

113W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

4.9 mm

高さ

1.15mm

長さ

5mm

自動車規格

AEC-Q101

DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています。

DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています。

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK8 パッケージ（業界標準

PPAP対応

鉛フリー

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK8 パッケージ（業界標準

PPAP対応

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