onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 49 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK

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RS品番:
195-2540
メーカー型番:
NVMYS8D0N04CTWG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

49A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

NVMYS8D0N04C

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

38W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

1.15mm

幅

4.25 mm

長さ

5mm

自動車規格

AEC-Q101

DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています

DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK4 パッケージ、業界標準

PPAP対応

鉛フリー

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK4 パッケージ、業界標準

PPAP対応

鉛フリー

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