型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 300 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK

RS品番:: 189-0259
メーカー型番:: NTMJS1D0N04CTWG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 300 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK

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6000 - 27000	￥227.93	￥683,790
30000 - 42000	￥227.161	￥681,483
45000 - 57000	￥226.40	￥679,200
60000 +	￥225.64	￥676,920

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RS品番:: 189-0259
メーカー型番:: NTMJS1D0N04CTWG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	300A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	LFPAK
	シリーズ	NTMJS1D0N04C
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	920μΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	86nC
	最大許容損失Pd	166W
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.2mm
	長さ	5mm
	規格 / 承認	No
	幅	4.9 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 300A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 LFPAK
	シリーズ NTMJS1D0N04C
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 920μΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC
	最大許容損失Pd 166W
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.2mm
	長さ 5mm
	規格 / 承認 No
	幅 4.9 mm
	自動車規格なし

Datasheet NTMJS1D0N04CTWG

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK-E パッケージ、業界標準

鉛フリーです