onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 57.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS010N10MCLTAG

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梱包形態
RS品番:
195-2554
メーカー型番:
NVTFS010N10MCLTAG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

57.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

WDFN

シリーズ

NVTFS010N10MCL

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

15.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

77.8W

動作温度 Max

175°C

幅

3.15 mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

高さ

0.75mm

自動車規格

AEC-Q101

3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(3 x 3 mm)

小型設計

低オン抵抗

導電損失を最小化

低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

PPAP対応

車載用途に最適

用途

逆バッテリ保護

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

スイッチング電源

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