onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 57.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS010N10MCLTAG

RS品番:: 195-2554
メーカー型番:: NVTFS010N10MCLTAG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 57.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS010N10MCLTAG

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600 - 870	￥143.80	￥4,314
900 - 1170	￥123.033	￥3,691
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RS品番:: 195-2554
メーカー型番:: NVTFS010N10MCLTAG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	57.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	WDFN
	シリーズ	NVTFS010N10MCL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	15.9mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	22nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	77.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	3.3mm
	幅	3.15 mm
	高さ	0.75mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 57.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 WDFN
	シリーズ NVTFS010N10MCL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 15.9mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 77.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 3.3mm
	幅 3.15 mm
	高さ 0.75mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(3 x 3 mm)

小型設計

低オン抵抗

導電損失を最小化

低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

PPAP対応

車載用途に最適

用途

逆バッテリ保護

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

スイッチング電源