onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 68 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS6H850NTAG

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梱包形態
RS品番:
172-3379
メーカー型番:
NVTFS6H850NTAG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

68A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

WDFN

シリーズ

NVTFS6H850N

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

最大許容損失Pd

107W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

長さ

3.15mm

高さ

0.75mm

規格 / 承認

No

幅

3.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFD5C446NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

ソレノイドドライバ

ローサイド / ハイサイドドライバ

車載用エンジンコントローラ

アンチロックブレーキシステム

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