onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 27 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, NVTFS015N04CTAG
- RS品番:
- 189-0479
- メーカー型番:
- NVTFS015N04CTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 25 - 225 | ¥116.32 | ¥2,908 |
| 250 - 2350 | ¥101.68 | ¥2,542 |
| 2375 - 2975 | ¥87.04 | ¥2,176 |
| 3000 - 3975 | ¥72.36 | ¥1,809 |
| 4000 + | ¥57.68 | ¥1,442 |
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- RS品番:
- 189-0479
- メーカー型番:
- NVTFS015N04CTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 27A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | NVTFS015N04C | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 17.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 23W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 幅 | 3.15 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 27A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ NVTFS015N04C | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.3nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 23W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 0.75mm | ||
幅 3.15 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.15mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するための湿式テーブルフランクオプションが用意されています。
省スペース(5 x 6 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
NVMFS5C404NLWF - ウェッタブルフランク光学素子
PPAP対応
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
強化された光学性能
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
ソレノイドドライバ - ABS 、燃料噴射
モータ制御 - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど
、負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ
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