2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 68 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C668NLT1G パッケージDFN
- RS品番:
- 178-4503
- メーカー型番:
- NVMFD5C668NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 178-4503
- メーカー型番:
- NVMFD5C668NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 68A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | 175°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.8nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 最大許容損失Pd | 57.5W | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.1 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 68A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min 175°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.8nC | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
最大許容損失Pd 57.5W | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
高さ 1.05mm | ||
長さ 5.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.1 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- MY
コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
NVMFD5C668NLWF - 光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプション
PPAP対応
鉛フリー
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