Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 11.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SQD10950E_GE3

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RS品番:
200-6792
メーカー型番:
SQD10950E_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

SQD10950E

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16nC

最大許容損失Pd

62W

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

10.41mm

長さ

6.73mm

幅

2.38 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay SQD10950E_GE3 は、車載 N チャンネル 250 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET®パワーMOSFET

低熱抵抗のパッケージ

100 % Rg及びUISテスト済み

AEC-Q101認定

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