Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 11.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 200-6793
- メーカー型番:
- SQD10950E_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 875 - 1225 | ¥144.12 | ¥3,603 |
| 1250 - 1475 | ¥123.20 | ¥3,080 |
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- RS品番:
- 200-6793
- メーカー型番:
- SQD10950E_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| シリーズ | SQD10950E | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 180mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 62W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 2.38 mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 10.41mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
シリーズ SQD10950E | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 180mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 62W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 2.38 mm | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 10.41mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay SQD10950E_GE3 は、車載 N チャンネル 250 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET です。
TrenchFET®パワーMOSFET
低熱抵抗のパッケージ
100 % Rg及びUISテスト済み
AEC-Q101認定
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