型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 200-6862
メーカー型番:: SiR104ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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150 - 1350	￥259.04	￥6,476
1375 - 1725	￥230.00	￥5,750
1750 - 2225	￥202.00	￥5,050
2250 +	￥173.00	￥4,325

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RS品番:: 200-6862
メーカー型番:: SiR104ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	81A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	TrenchFET Gen IV
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7.2mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	70nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	100W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	6.15mm
	規格 / 承認	No
	幅	5.15 mm
	長さ	5.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 81A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ TrenchFET Gen IV
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.2mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 100W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 6.15mm
	規格 / 承認 No
	幅 5.15 mm
	長さ 5.15mm
	自動車規格なし

Document- SiR104ADP-T1-RE3

Vishay SiR104AD-T1-RE3 は、 N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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